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金刚石MOSFET与结构示意图金刚石MOSFET是研究最广泛的金刚石晶体管，大润其采用MOS栅控制结构可抑制栅极的泄漏电流。但硼室温下激活效率小于0.1%，汰渍而且硼在金刚石中的掺杂浓度和迁移率是此消彼长的关系，汰渍过大的掺杂浓度往往导致迁移率的迅速下降，电导率达到1Ω/cm需要硼掺杂浓度达到1019 cm-3时，但此时迁移率将降低到100cm2/Vs以下[4]。